收藏本站
SUP45N03-13L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
Output Characteristics
Transfer Characteristics
120
V GS = 10 thru 6 V
5V
100
80
90
60
60
30
4V
40
20
T C = 125 _ C
0
3V
0
25 _ C
– 55 _ C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
80
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
Transconductance
T C = – 55 _ C
0.05
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Drain Current
60
25 _ C
125 _ C
0.04
0.03
40
0.02
V GS = 4.5 V
20
0
0.01
0.00
V GS = 10 V
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
80
4000
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
Capacitance
10
I D – Drain Current (A)
Gate Charge
3000
C iss
8
V GS = 15 V
I D = 45 A
6
2000
4
1000
0
C rss
C oss
2
0
0
6
12
18
24
30
0
10
20
30
40
50
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
Document Number: 70804
S-05011 — Rev. F, 29-Oct-01
Q g – Total Gate Charge (nC)
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SUP60N02-4M5P-E3 MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB
SUP60N10-16L-E3 MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
SUP60N10-18P-E3 MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
SUP65P04-15-E3 MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
SUP75N03-04-E3 MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB
SUP75P03-07-E3 MOSFET P-CH D-S 30V TO220AB
SUP90N08-7M7P-E3 MOSFET N-CH D-S 75V TO220AB
SUP90P06-09L-E3 MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
相关代理商/技术参数
SUP45N05-20L 功能描述:MOSFET 50V 45A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP45N05-20L-E3 功能描述:MOSFET 50V 45A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP45N05-20L-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 50V, 45A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr
SUP50N03-5M1P 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SUP50N03-5M1P-GE3 功能描述:MOSFET 30V 50A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP50N10-21P-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO220AB 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Single N-Channel 100 V 0.021 O 30.2 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
SUP52N20-39P-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N TO-220
SUP53P06-20 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) MOSFET